FDM606P_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: MicroFET-8
數量：: 6003
說明：: MOSFET P-Ch Power Trench Logic Level 1.8V

一、本商品被瀏覽0次.

FDM606P_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：134 ns
上升時間：46 ns
功率耗散：1.92 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：46 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MicroFET-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Hex Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.026 Ohms
漏極連續電流：- 6.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDM606P_Q的詳細信息，包括FDM606P_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：