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中文參數如下:
功率耗散:1.4 W
柵極電荷 Qg:2 nC
包裝形式:Reel
封裝形式:MLP-8
安裝風格:SMD/SMT
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):76 mOhms
漏極連續(xù)電流:3.2 A
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FDMJ1028N的詳細信息,包括FDMJ1028N廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!