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FDP6670AL_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-220AB
數(shù)量：
 6795  
說明：
 MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
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FDP6670AL_Q-TO-220AB圖片

FDP6670AL_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：42 ns
上升時(shí)間：12 ns
功率耗散：68 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：115 S
下降時(shí)間：15 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：6.5 m Ohms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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