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FDR858P

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 8-LSOP（0.130"，3.30mm 寬）
數量：: 5265
說明：: MOSFET SSOT-8 P-CH -30V

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FDR858P PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：FDR858P_NL
典型關閉延遲時間：100 ns
工廠包裝數量：750
上升時間：15 ns
功率耗散：1.8 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：25 S
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quint Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.019 Ohms
漏極連續電流：8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDR858P的詳細信息，包括FDR858P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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