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FDT439N_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-223
數(shù)量：: 7722
說明：: MOSFET SOT-223 N-CH 30V

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FDT439N_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：30 ns
上升時間：10 ns
功率耗散：3 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：17 S
下降時間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-223
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.038 Ohms
漏極連續(xù)電流：6.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDT439N_Q的詳細信息，包括FDT439N_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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