FDU6692_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: IPAK
數(shù)量：: 7884
說(shuō)明：: MOSFET 30V N-Ch PowerTrench

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FDU6692_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：35 ns
上升時(shí)間：5 ns
功率耗散：57 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：21 S
下降時(shí)間：10 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.012 Ohms
漏極連續(xù)電流：54 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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