FDZ209N_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: BGA
數量：: 8208
說明：: MOSFET 60V/20V N-Ch MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

FDZ209N_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：15 ns
上升時間：4 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：12 S
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：BGA
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Hex Drain Quint Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.08 Ohms
漏極連續電流：4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDZ209N_Q的詳細信息，包括FDZ209N_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：