FDZ3N513ZT

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 4-UFBGA，WLCSP
數(shù)量：: 8622
說明：: MOSFET 30V Integrated NMOS and Shottky Diode

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FDZ3N513ZT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：1 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：0.5 S
包裝形式：Reel
封裝形式：WLCSP
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：462 mOhms
漏極連續(xù)電流：1.1 A
閘/源擊穿電壓：5.5 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDZ3N513ZT的詳細(xì)信息，包括FDZ3N513ZT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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