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FF200R17KE3S4HOSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數量：: 792
說明：: IGBT MODULE VCES 1200V 200A

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FF200R17KE3S4HOSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：無
輸入：標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：18000 pF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：3 mA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，200A
功率 - 最大值：1250 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：310 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700 V
配置：半橋逆變器
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態：在售
包裝：C
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是FF200R17KE3S4HOSA1的詳細信息，包括FF200R17KE3S4HOSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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