三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > FF400R07KE4HOSA1

FF400R07KE4HOSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數(shù)量：: 7947
說明：: IGBT MODULE 650V 1250W

一、本商品被瀏覽0次.

FF400R07KE4HOSA1 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C
NTC 熱敏電阻：無
輸入：標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：26 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：5 mA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，400A
功率 - 最大值：1250 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
配置：2 個獨立式
IGBT 類型：溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：C
系列：散裝,托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是FF400R07KE4HOSA1的詳細信息，包括FF400R07KE4HOSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：