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中文參數如下:
工廠包裝數量:8
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V
封裝形式:IHM130
最大工作溫度:+ 125 C
功率耗散:2.8 KW
柵極—射極漏泄電流:400 nA
在25 C的連續集電極電流:850 A
集電極—射極飽和電壓:1.7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V
配置:Dual
產品:IGBT Silicon Modules
RoHS:否
產品種類:IGBT 模塊
制造商:Infineon
以上是FF600R12KE3的詳細信息,包括FF600R12KE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!