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中文參數(shù)如下:
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封裝封裝/外殼:模塊
安裝類(lèi)型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):14700pF @ 800V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):496nC @ 15V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.15V @ 80mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):5.81 毫歐 @ 250A,15V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):250A(Tc)
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
FET 功能:-
配置:2 個(gè) N 通道(半橋)
技術(shù):碳化硅(SiC)
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:CoolSiC?
系列:托盤(pán)
品牌:Infineon Technologies
以上是FF6MR12KM1PHOSA1的詳細(xì)信息,包括FF6MR12KM1PHOSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!