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FF6MR12W2M1PB11BPSA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 -
數量：
 3924  
說明：
 MOSFET MODULE LOW POWER EASY
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FF6MR12W2M1PB11BPSA1--圖片

FF6MR12W2M1PB11BPSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：20mW（Tc）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：14700pF @ 800V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：496nC @ 15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 80mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：5.63 毫歐 @ 200A，15V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：200A（Tj）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 N-通道（雙）
技術：碳化硅（SiC）
產品狀態：停產
包裝：CoolSiC?+
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是FF6MR12W2M1PB11BPSA1的詳細信息，包括FF6MR12W2M1PB11BPSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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