FF8MR12W2M1B11BOMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: AG-EASY2BM-2
數量：: 3888
說明：: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2

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FF8MR12W2M1B11BOMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
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封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：20mW（Tc）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：11000pF @ 800V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：372nC @ 15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 60mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：7.5 毫歐 @ 150A，15V（標準）
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：150A（Tj）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 N-通道（雙）
技術：碳化硅（SiC）
產品狀態：停產
包裝：CoolSiC?+
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

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