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FGB7N60UNDF

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 D2PAK（TO-263）
數量：
 8910  
說明：
 IGBT 晶體管 600V 7A NPT IGBT
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FGB7N60UNDF-D2PAK（TO-263）圖片

FGB7N60UNDF PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：50
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-263AB (D2 PAK)
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：83 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 10 uA
在25 C的連續集電極電流：14 A
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓：2.1 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FGB7N60UNDF的詳細信息，包括FGB7N60UNDF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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