FGD3N60LSDTM-T

廠家：: onsemi
封裝：: TO-252AA
數(shù)量：: 2628
說明：: INTEGRATED CIRCUIT

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FGD3N60LSDTM-T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：234 ns
測試條件：480V，3A，470 歐姆，10V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：40ns/600ns
柵極電荷：12.5 nC
輸入類型：標準
開關(guān)能量：250μJ（開），1mJ（關(guān)）
功率 - 最大值：40 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 10V，3A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：25 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：6 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：散裝
品牌：onsemi

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