FJP3307DH1

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220
數量：: 8775
說明：: 兩極晶體管 - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR

一、本商品被瀏覽0次.

FJP3307DH1 PDF參數資料

中文參數如下：

零件號別名：FJP3307DH1_NL
工廠包裝數量：50
包裝形式：Tube
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：80000 mW
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：15
最大直流電集電極電流：8 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：9 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：400 V
集電極—基極電壓 VCBO：700 V
晶體管極性：NPN
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FJP3307DH1的詳細信息，包括FJP3307DH1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：