中文參數如下:
工廠包裝數量:70
包裝形式:Tube
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:30000 mW
封裝形式:IPAK
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:10
最大直流電集電極電流:4 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:12 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:400 V
集電極—基極電壓 VCBO:700 V
晶體管極性:NPN
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FJU5304DTU的詳細信息,包括FJU5304DTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!