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中文參數如下:
工廠包裝數量:2500
輸出設備:NPN Phototransistor
每芯片的通道數量:1 Channel
最大上升時間:5 us
最大輸入二極管電流:200 mA
最大下降時間:5.5 us
正向電流:20 mA
包裝形式:Reel
封裝形式:miniflat-4
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 125 C
最大功率耗散:40 mW
最大正向二極管電壓:1.8 V
電流傳遞比:560 %
絕緣電壓:3750 Vrms
最大集電極/發射極電壓:75 V
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FODM8801CR2的詳細信息,包括FODM8801CR2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!