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中文參數如下:
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
柵極/發射極最大電壓:20 V
封裝形式:Module
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:160 W
柵極—射極漏泄電流:100 nA
集電極—射極飽和電壓:1.85 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V
配置:Dual Modules
產品:IGBT Silicon Modules
RoHS:是
制造商:Infineon
以上是FP25R12KT4_B15的詳細信息,包括FP25R12KT4_B15廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!