FP75R07N2E4B11BOSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數(shù)量：: 4221
說明：: IGBT MODULE 650V 75A

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FP75R07N2E4B11BOSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標(biāo)準(zhǔn)
不同?Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)：4.6 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：1 mA
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，75A
功率 - 最大值：-
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：75 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
配置：三相反相器
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：Digi-Key 停止提供
包裝：EconoPIM? 2
系列：散裝
品牌：Infineon Technologies

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