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FP75R07N2E4BOSA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 模塊
數量:
 4212  
說明:
 IGBT MODULE 650V 95A
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FP75R07N2E4BOSA1-模塊圖片

FP75R07N2E4BOSA1 PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝封裝封裝/外殼:模塊
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 150°C
NTC 熱敏電阻:是
輸入:標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies):4.6 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止(最大值):1 mA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,75A
功率 - 最大值:-
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):95 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
配置:三相反相器
IGBT 類型:溝槽型場截止
產品狀態:Digi-Key 停止提供
包裝:EconoPIM? 2
系列:散裝
品牌:Infineon Technologies

以上是FP75R07N2E4BOSA1的詳細信息,包括FP75R07N2E4BOSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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