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FQA11N90_F109

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-3P
數(shù)量：
 4059  
說明：
 MOSFET 900V N-Channel QFET
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FQA11N90_F109-TO-3P圖片

FQA11N90_F109 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：165 ns
工廠包裝數(shù)量：30
上升時(shí)間：135 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：90 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.96 Ohms
漏極連續(xù)電流：11.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：900 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQA11N90_F109的詳細(xì)信息，包括FQA11N90_F109廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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