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FQI12N60TU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 I2PAK(TO-262)
數量:
 8613  
說明:
 MOSFET
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FQI12N60TU-I2PAK(TO-262)圖片

FQI12N60TU PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:95 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:115 ns
功率耗散:3.13 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:85 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:I2PAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.7 Ohms
漏極連續電流:10.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQI12N60TU的詳細信息,包括FQI12N60TU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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