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FQP8N60C_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220AB
數(shù)量：: 3069
說明：: MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

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FQP8N60C_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：81 ns
上升時間：60.5 ns
功率耗散：147 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：8.7 S
下降時間：64.5 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.2 Ohms
漏極連續(xù)電流：7.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQP8N60C_Q的詳細信息，包括FQP8N60C_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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