中文參數如下:
典型關閉延遲時間:95 ns
上升時間:150 ns
功率耗散:69 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:110 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-220F
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.265 Ohms
漏極連續電流:18 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FQPF18N50V2SDTU的詳細信息,包括FQPF18N50V2SDTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!