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FQU18N20V2TU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: IPAK
數(shù)量：: 3348
說明：: MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series

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FQU18N20V2TU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：38 ns
上升時間：133 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：62 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.14 Ohms
漏極連續(xù)電流：15 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQU18N20V2TU的詳細信息，包括FQU18N20V2TU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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