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FS50R07N2E4B11BOSA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 模塊
數(shù)量：
 4563  
說明：
 IGBT MODULE 650V 70A 190W
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FS50R07N2E4B11BOSA1-模塊圖片

FS50R07N2E4B11BOSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標(biāo)準(zhǔn)
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：3.1 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：1 mA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，50A
功率 - 最大值：190 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：70 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
配置：三相反相器
IGBT 類型：溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：EconoPACK? 2
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是FS50R07N2E4B11BOSA1的詳細(xì)信息，包括FS50R07N2E4B11BOSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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