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FS900R08A2P2B32BOSA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 AG-HYBRID2-1
數(shù)量：
 4680  
說明：
 IGBT MODULE PACK2 DRV HYBRID2-1
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FS900R08A2P2B32BOSA1-AG-HYBRID2-1圖片

FS900R08A2P2B32BOSA1 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標(biāo)準(zhǔn)
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：105000 pF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：500 μA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：1.25V @ 15V，550A
功率 - 最大值：1.546 kW
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：550 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：750 V
配置：三相反相器
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：HybridPACK? 2
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是FS900R08A2P2B32BOSA1的詳細(xì)信息，包括FS900R08A2P2B32BOSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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