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中文參數如下:
工廠包裝數量:40
安裝風格:Through Hole
最小工作溫度:- 20 C
包裝形式:Tray
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:167 W
柵極—射極漏泄電流:250 uA
在25 C的連續集電極電流:180 A
集電極—射極飽和電壓:1.4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:300 V
配置:IGBT-Inverter
產品:IGBT Silicon Modules
RoHS:是
產品種類:IGBT 模塊
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FVP18030IM3LSG1的詳細信息,包括FVP18030IM3LSG1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!