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中文參數如下:
包裝形式:Box
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:1000 mW
直流電流增益 hFE 最大值:70 at 50 mA at 2 V
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:70 at 50 mA at 2 V, 100 at 500 mA at 2 V, 80 at 1 A at 2 V, 40 at 2 A at 2 V
增益帶寬產品fT:140 MHz
最大直流電集電極電流:2 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:60 V
集電極—基極電壓 VCBO:80 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Diodes Inc.
以上是FXT751STZ的詳細信息,包括FXT751STZ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!