中文參數如下:
工廠包裝數量:2
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V
封裝形式:IHM130
最大工作溫度:+ 125 C
功率耗散:14.7 KW
柵極—射極漏泄電流:400 nA
在25 C的連續集電極電流:2000 A
集電極—射極飽和電壓:3.4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:3300 V
配置:Triple Common Emitter Common Gate
產品:IGBT Silicon Modules
RoHS:否
制造商:Infineon
以上是FZ1200R33KF2的詳細信息,包括FZ1200R33KF2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!