中文參數如下:
工廠包裝數量:10
安裝風格:Screw
最小工作溫度:- 40 C
柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V
封裝形式:62 mm
最大工作溫度:+ 125 C
在25 C的連續集電極電流:480 A
集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V
配置:Single Dual Collector Dual Emitter
產品:IGBT Silicon Modules
制造商:Infineon
以上是FZ300R12KE3B1G的詳細信息,包括FZ300R12KE3B1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!