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G2SB60-E3D/P

廠家：
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝：
 4-SIP，GBL
數(shù)量：
 5805  
說明：
 DIODE BRIDGE
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G2SB60-E3D/P-4-SIP，GBL圖片

G2SB60-E3D/P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：GBL
封裝/外殼：4-SIP，GBL
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：5 μA @ 600 V
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1 V @ 750 mA
電流 - 平均整流 (Io)：1.5 A
電壓 - 峰值反向（最大值）：600 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
二極管類型：Single Phase
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是G2SB60-E3D/P的詳細(xì)信息，包括G2SB60-E3D/P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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