中文參數如下:
安裝風格:Through Hole
最小工作溫度:- 40 C
封裝形式:TO-247AB
最大工作溫度:+ 150 C
柵極—射極漏泄電流:500 nA
在25 C的連續集電極電流:35 A
集電極—射極飽和電壓:3 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V
配置:Single
產品:IGBT Silicon Carbide Modules
制造商:GeneSiC Semiconductor
以上是GA035XCP12-247的詳細信息,包括GA035XCP12-247廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!