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GA08JT17-247

廠家：
  GeneSiC Semiconductor
封裝：
 TO-247AB
數量：
 4140  
說明：
 MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A
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GA08JT17-247-TO-247AB圖片

GA08JT17-247 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：73 ns
上升時間：28 ns
功率耗散：91 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：50 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：500 mOhms
漏極連續電流：4 A
RoHS：是
制造商：GeneSiC Semiconductor

以上是GA08JT17-247的詳細信息，包括GA08JT17-247廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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