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GB02SHT06-46

廠家:
  GeneSiC Semiconductor
封裝:
 TO-46
數量:
 7749  
說明:
 DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
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GB02SHT06-46-TO-46圖片

GB02SHT06-46 PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:TO-46
封裝/外殼:TO-206AB,TO-46-3 金屬罐
安裝類型:通孔
不同?Vr、F 時電容:76pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:5 μA @ 600 V
反向恢復時間 (trr):0 ns
速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.6 V @ 1 A
電流 - 平均整流 (Io):4A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky
產品狀態:在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:GeneSiC Semiconductor

以上是GB02SHT06-46的詳細信息,包括GB02SHT06-46廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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