GT100N12D5

廠家：: Goford Semiconductor
封裝：: 8-DFN（5x6）
數量：: 936
說明：: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

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GT100N12D5 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：120W
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3050 pF @ 60 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：50 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：10 毫歐 @ 35A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：70A
漏源電壓（Vdss）：120 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Goford Semiconductor

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