點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
工作溫度：175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：600 ns
測試條件：280V，40A，10 歐姆，20V
25°C 時 Td（開/關）值：-
柵極電荷：-
輸入類型：標準
開關能量：-，540μJ（關）
功率 - 最大值：230 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，40A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：200 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：40 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是GT40RR21(STA1,E的詳細信息，包括GT40RR21(STA1,E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   開關晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：

F3L25R12W1T4B27BOMA1

FZ600R17KE4HOSA1

FZ600R12KE4HOSA1

FZ400R12KE4HOSA1

FF150R12RT4HOSA1

VS-GT180DA120U

MGF65A6L

MGF65A3H

MGF65A4H

MGD622