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中文參數如下:
輸出設備:NPN Phototransistor
每芯片的通道數量:1 Channel
正向電流:10 mA
包裝形式:Tube
封裝形式:DIP-6
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 110 C
最大功率耗散:200 mW
電流傳遞比:30 %
絕緣電壓:5000 Vrms
最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V
最大集電極/發(fā)射極電壓:80 V
輸入類型:DC
RoHS:是
產品種類:晶體管輸出光電耦合器
制造商:Everlight
以上是H11A5M-V的詳細信息,包括H11A5M-V廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!