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HGT1S20N35G3VLS

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: D2PAK（TO-263）
數量：: 1305
說明：: IGBT 晶體管 Coil Dr 20A 350V

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HGT1S20N35G3VLS PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：HGT1S20N35G3VLS_NL
工廠包裝數量：50
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
集電極最大連續電流 Ic：20 A
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-263AB-3
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：150 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 250 nA
在25 C的連續集電極電流：20 A
柵極/發射極最大電壓：+/- 10 V
集電極—射極飽和電壓：1.3 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：375 V
配置：Single
RoHS：是
產品種類：IGBT 晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S20N35G3VLS的詳細信息，包括HGT1S20N35G3VLS廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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