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中文參數如下:
工廠包裝數量:50
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 55 C
集電極最大連續電流 Ic:34 A
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-263AB-3
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:125 W
柵極—射極漏泄電流:+/- 250 nA
在25 C的連續集電極電流:34 A
柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓:1.9 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V
配置:Single
RoHS:是
產品種類:IGBT 晶體管
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是HGT1S7N60A4DS的詳細信息,包括HGT1S7N60A4DS廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!