三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > HN4B01JE(TE85L,F)

HN4B01JE(TE85L,F)

廠家：: Toshiba
封裝：: ESV
數量：: 9058
說明：: 兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V, Vceo=50V

一、本商品被瀏覽0次.

HN4B01JE(TE85L,F) PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
認證機構：
封裝封裝/外殼：SOT-553
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：80MHz
功率 - 最大值：100mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 2mA，6V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：150mA
晶體管類型：NPN，PNP（耦合發射器）
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是HN4B01JE(TE85L,F)的詳細信息，包括HN4B01JE(TE85L,F)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：