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HP8KA1TB

廠家：
  Rohm Semiconductor
封裝：
 8-HSOP
數(shù)量：
 6606  
說(shuō)明：
 MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8
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HP8KA1TB-8-HSOP圖片

HP8KA1TB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：8-PowerTDFN
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：3W
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2550pF @ 15V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：24nC @ 4.5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 10mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：5 毫歐 @ 14A，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：14A
漏源電壓（Vdss）：30V
FET 功能：邏輯電平門
配置：2 N-通道（雙）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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