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HTNFET-D

廠家：: Honeywell Aerospace
封裝：: 8-CDIP 裸露焊盤
數(shù)量：: 1395
說明：: MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP

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HTNFET-D PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：400 毫歐 @ 100mA, 5V
漏極至源極電壓(Vdss)：55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：-
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.4V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：4.3nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：290pF @ 28V
功率 - 最大：50W
安裝類型：通孔

以上是HTNFET-D的詳細(xì)信息，包括HTNFET-D廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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