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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):136W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):4559 pF @ 40 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):66 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.8V @ 78μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):3.4 毫歐 @ 50A,10V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):132A(Tj)
漏源電壓(Vdss):80 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:OptiMOS?
系列:卷帶(TR)
品牌:Infineon Technologies
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