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IDB30E60ATMA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO263-3-2
數(shù)量:
 3384  
說明:
 DIODE GP 600V 52.3A TO263-3-2
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IDB30E60ATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:PG-TO263-3-2
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容:-
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:50 μA @ 600 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):126 ns
速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io)
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):2 V @ 30 A
電流 - 平均整流 (Io):52.3A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài):最后售賣
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Infineon Technologies

以上是IDB30E60ATMA1的詳細(xì)信息,包括IDB30E60ATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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