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IDC08S120EX1SA3

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 帶箔切割晶片
數(shù)量：: 4698
說明：: DIODE SIL CARB 1.2KV 7.5A WAFER

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IDC08S120EX1SA3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：帶箔切割晶片
封裝/外殼：模具
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：380pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：180 μA @ 1200 V
反向恢復時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 7.5 A
電流 - 平均整流 (Io)：7.5A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產品狀態(tài)：停產
包裝：CoolSiC?+
系列：散裝
品牌：Infineon Technologies

以上是IDC08S120EX1SA3的詳細信息，包括IDC08S120EX1SA3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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