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IDH02G120C5XKSA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO220-2-1
數(shù)量：
 5140  
說(shuō)明：
 DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-1
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IDH02G120C5XKSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：PG-TO220-2-1
封裝/外殼：TO-220-2
安裝類(lèi)型：通孔
不同?Vr、F 時(shí)電容：182pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：18 μA @ 1200 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：0 ns
速度：無(wú)恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.65 V @ 2 A
電流 - 平均整流 (Io)：2A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：CoolSiC?+
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IDH02G120C5XKSA1的詳細(xì)信息，包括IDH02G120C5XKSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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