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IDH09G65C5XKSA2

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO220-2-1
數(shù)量：
 3168  
說明：
 DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1
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IDH09G65C5XKSA2-PG-TO220-2-1圖片

IDH09G65C5XKSA2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：PG-TO220-2-1
封裝/外殼：TO-220-2
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：270pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：160 μA @ 650 V
反向恢復時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 9 A
電流 - 平均整流 (Io)：9A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設計
包裝：CoolSiC?+
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IDH09G65C5XKSA2的詳細信息，包括IDH09G65C5XKSA2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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